SEM 樣品金屬涂層設(shè)備MSP-1S的特點

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當中使用廣泛的一種鍍膜工藝,采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率,廣東振華科技真空磁控濺射鍍膜工藝現(xiàn)已廣泛用于大面積基材的鍍膜當中.該工藝不僅用于單層膜的沉積,還可鍍制多層的薄膜,此外,還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學(xué)膜、貼膜等膜層鍍制。

磁控濺射工藝的主要優(yōu)點是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點:

1、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。

2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi)。

3、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

4、基片溫度低.可利用陽極導(dǎo)走放電時產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。

5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導(dǎo)致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率。

6、復(fù)合靶.可制作復(fù)合靶鍍合金膜,目前,采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。

7、應(yīng)用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。

●用一個按鈕自動涂層。沒有任何繁瑣的操作。

● φ標準裝備50mm Au-pd目標。（購買主機時可變更為可選目標。）

●采用低施加電壓下減輕離子損傷的磁控管方式。

●因為體積小、重量輕，所以不選擇設(shè)置場所。

●在SEM的預(yù)處理中發(fā)揮實力。